BSM200GA120DN2 参数 制造商Infineon 产品种类IGBT 模块 RoHS是 产品IGBT Silicon Modules 配置Single 集电极—发射极*大电压 VCEO1200 V 集电极—射极饱和电压2.5 V Continuous Collector Current at 25 C300 A 栅极—射极漏泄电流200 nA 功率耗散1550 W *大工作温度+ 150 C 封装 / 箱体62MM 栅极/发射极*大电压+/- 20 V *小工作温度- 40 C 安装风格Screw