硅钼棒在高温氧化气氛下，表面生成一层石英保护层防止硅钼棒继续氧化。当元件温度大于1700℃时，石英保护层熔融，元件在氧化气氛下，继续使用，石英保护层重新生成。硅钼棒不宜在400-700℃范围内长期使用，否则元件会因低温的强烈氧化作用而粉化。
连续工作式炉内的元件与间歇式炉中的元件相比使用寿命更长。这时因为硅钼棒元件表面的
保护膜会在温度的反复升降中变薄。
连续工作：硅钼棒长期高温连续工作，表层膜逐渐蒸发，使硅钼棒体从内部至表面进行热力学物相平衡，当表面硅的浓度梯度不足以形成*低硅化物相时，发生游离钼的氧化挥发，并在新的硅化钼界面上形成
石英玻璃保护膜，如此不断挥发、生膜，元件则不断的减细，直到局部*小截面处超负荷烧断失效。这主要是连续窑炉硅钼棒的失效形式。
间隙工作：硅钼棒表层的石英
玻璃膜在加热和冷却的热应力过程中，由热胀冷缩而引起的开裂、崩落、减薄，在裂纹及崩落的新表面上重新形成保护膜，该处即出现低于元件表面的凹坑，经一定次数的交替，元件表面形成直径1～2mm，深度0.2～0.5mm 的连续麻面，*后在*小截面处超温烧断。这主要是间隙炉的失效形式。
