技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃  300
• Vce(sat),Max(V) 3.75
• Ton(us)  0.11
• Toff(us)  0.55
• Rth(j-c),K/W  0.064
• Pc(W)  1950
• 封装  62mm
• 电路结构  半桥
性能概要:
• 高短路能力,自我限制短路电流
• 低开关损耗
• 无可比拟的耐用性
• V(CESAT)具有正温度系数
• CTI>400
• 高漏电距离和电气间隙
• 隔离底板
• 铜基板
• 标准外形
优点:
• 灵活性
• *佳的电气性能
• *高的可靠性
目标应用:
•
电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断
电源(UPS)
• 商业,农业和工程车辆(CAV)
• 感应加热
• 工业焊接